特許
J-GLOBAL ID:200903077758158096
固体撮像装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-039472
公開番号(公開出願番号):特開2001-230402
出願日: 2000年02月17日
公開日(公表日): 2001年08月24日
要約:
【要約】【課題】 有効画素領域と無効画素領域との黒レベル差を無くす。【解決手段】 無効画素領域の受光部領域23上において、遮光膜30に開口部40を設ける。こうして、遮光膜30が高融点金属TiW等の水素イオンを透過し難い材質であっても、水素アニール工程においてP-SiN膜から成るパッシベーション膜33からのシリコン基板21側への水素イオンの拡散が十分に行われるようにする。その結果、受光部領域23および転送チャネル領域24の界面準位が低減され、無効画素領域の暗時出力電圧が有効画素領域と同程度にまで低減される。すなわち、有効画素領域と無効画素領域との黒レベルに差は生じない。
請求項(抜粋):
同一基板上に形成された受光部,転送チャネル部および読み出し部を有すると共に、被写体の光情報を検出する有効画素領域と光学的黒を検出する無効画素領域とに分割されている固体撮像装置において、上記有効画素領域および無効画素領域における上記転送チャネル部上および読み出し部上を覆うと共に、上記受光部上を開口するように配置された第1遮光膜と、上記有効画素領域および無効画素領域における上記第1遮光膜および受光部上に形成された層間絶縁膜と、少なくとも上記無効画素領域において、上記層間絶縁膜上に形成されるとともに、上記受光部上,転送チャネル部上および読み出し部上を覆うように配置された第2遮光膜と、上記有効画素領域および無効画素領域における上記層間絶縁膜および第2遮光膜上に形成されて全表面を覆う保護絶縁膜を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件):
H01L 27/148
, H01L 27/14
, H04N 5/335
FI (4件):
H04N 5/335 U
, H04N 5/335 F
, H01L 27/14 B
, H01L 27/14 D
Fターム (18件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118CA04
, 4M118CA32
, 4M118CA40
, 4M118CB14
, 4M118DA28
, 4M118FA06
, 4M118GB09
, 4M118GB11
, 4M118GB17
, 5C024CX32
, 5C024CY47
, 5C024GX12
, 5C024GY01
, 5C024GZ34
, 5C024GZ36
引用特許:
審査官引用 (4件)
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固体撮像素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-210120
出願人:ソニー株式会社
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特開昭58-125971
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特開昭58-125971
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光電変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-293893
出願人:キヤノン株式会社
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