特許

J-GLOBAL ID：200903077759084380

X線露光方法及びX線マスク製造方法

発明者： 時友 一雄 ,  菊地 智子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118737
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333804
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 X線露光方法及びX線露光用マスク製造方法に関し、レジストパターン側壁の傾斜を防止することを目的とする。【構成】 所定のパターンの透光部3bとこの透光部3bの周囲に接する半透光部3dとを備えたX線マスク3Aを使用し、基板1上のレジスト膜2にX線マスク3Aの透光部3bに等しいパターンの適正露光潜像4とその周囲に接し且つ露光量の少ない微弱露光潜像5とを形成し、その後ベーキングと現像とを行ってレジストパターンを得る。

請求項（抜粋）：

基板(1) 上のレジスト膜(2) をX線マスク(3, 3A) を介して選択的にX線露光する方法であって、該レジスト膜(2) に所定のパターンの適正露光潜像(4) と該適正露光潜像(4)の周囲に接し且つ該適正露光潜像(4) より露光量の少ない微弱露光潜像(5) とを形成することを特徴とするX線露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503

FI (2件)：

H01L 21/30 331 E ,  H01L 21/30 331 M