特許

J-GLOBAL ID：200903077761955690

トランジスタ

発明者： 坂本 和久
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011210
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221121
出願日： 1994年02月02日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 高耐圧で、スイッチング動作の高速化がえられ、高電流増幅率および高い電流利得帯域幅積をうることができるトランジスタを提供する。【構成】 マルチエミッタトランジスタまたはマルチベーストランジスタの各単位トランジスタのエミッタ領域3a、3b直下のベース領域2の厚さがエミッタ領域3a、3bが形成されていない部分の厚さより薄く形成されることにより、前記ベース領域2の断面形状がコ字形の連続形状に形成され、該コ字形の各々の凹部内に内部ベース層4a、4bが形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けられた第1導電型のコレクタ領域と、該コレクタ領域に設けられた第2導電型のベース領域と、該ベース領域に設けられた第1導電型のエミッタ領域とからなり、該エミッタ領域または前記ベース領域が島状に複数個形成され、複数個の単位トランジスタからなるマルチエミッタまたはマルチベース構造のトランジスタであって、前記単位トランジスタの各々は前記エミッタ領域直下のベース領域の厚さが、前記エミッタ領域が形成されていない部分のベース領域の厚さより薄く形成されることにより、前記ベース領域の断面形状がコ字形に形成され、該コ字形の各々の凹部内に内部ベース層が形成されてなるトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/417 ,  H03K 17/72

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/50 B ,  H03K 17/72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-160165
  
• 特開昭64-064257