特許

J-GLOBAL ID：200903077765914378

バイパスダイオード付き太陽電池セルの製造方法

発明者： 木村 健也 ,  浅井 正人
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-161171
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135334
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 太陽電池セル、バイパスダイオード、インターコネクタ間の位置ずれのない高信頼性の太陽電池を提供する。【構成】 太陽電池セル10’上に表面電極材料、例えばAgペースト13’を設けるとともに該表面電極材料上にバイパスダイオード16を載置する工程と、この後Agペースト13’を焼成してバイパスダイオード16を固定する工程とを含んでなることを特徴とする。また、表面電極への搭載前のバイパスダイオード16の上面に、予めインターコネクタ21を熔接によって接続してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

太陽電池セルの表面電極上にバイパスダイオードが搭載され、該バイパスダイオードの上面にインターコネクタが接続されてなるバイパスダイオード付き太陽電極セルの製造方法において、前記太陽電池セル上に表面電極材料を設け該表面電極材料上にバイパスダイオードを載置する工程と、前記表面電極材料の焼成によって前記バイパスダイオードを固定する工程と、を含んでなることを特徴とするバイパスダイオード付き太陽電極セルの製造方法。