特許

J-GLOBAL ID：200903077768639564

化合物半導体素子の製造方法

発明者： 友村 好隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 大前 要 ,  板東 義文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-217896
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035968
出願日： 2005年07月27日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】 急峻なヘテロ接合を有する高品質なIII-V族化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 SbとAsを含むIII-V族化合物半導体からなる第1の半導体層と、Sbを含まず、Asを含むIII-V族化合物半導体からなる第2の半導体層とのヘテロ接合を有する化合物半導体素子を、分子線エピタキシー法により製造する方法であって、前記第1の半導体層を形成する工程においてAs分子線の分子種としてAs4を用い、前記第2の半導体層を形成する工程においてAs分子線の分子種としてAs2を用いることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

SbとAsを含むIII-V族化合物半導体からなる第1の半導体層と、Sbを含まず、Asを含むIII-V族化合物半導体からなる第2の半導体層とのヘテロ接合を有する化合物半導体素子を、分子線エピタキシー法により製造する方法であって、 前記第1の半導体層を形成する工程においてAs分子線の分子種としてAs4を用い、 前記第2の半導体層を形成する工程においてAs分子線の分子種としてAs2を用いることを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01S5/343 ,  H01L21/205

Fターム (14件)：

5F045AA05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AC19 ,  5F045AF04 ,  5F045BB04 ,  5F045CA12 ,  5F173AA05 ,  5F173AH04 ,  5F173AP10 ,  5F173AQ11 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR02 ,  5F173AR23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3209266号公報