特許
J-GLOBAL ID:200903077771605220
基板処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮本 治彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-291660
公開番号(公開出願番号):特開2002-105647
出願日: 2000年09月26日
公開日(公表日): 2002年04月10日
要約:
【要約】【課題】基板処理用の原料ガスを活性化するガス活性化手段を備えた基板処理装置であって、原料ガスの使用効率向上と消費電力の低減を実現し、かつ、ガスクリーニングが可能な保守性に優れた高稼働率、ハイスループットの基板処理装置を提供する。【解決手段】基板11を処理する反応室10と、反応室10内に原料ガスを供給するガス供給ノズル20とを備え、ガス供給ノズル20のガス噴出口26の前方に原料ガスを活性化するガス活性化手段であるホットワイヤ24を取り付け、ガス活性化手段24をガス供給ノズル20と一体化する。そして、ガス活性化手段24を一体化したガス供給ノズル20を反応室10より昇降機構28により待避できる構造とする。
請求項(抜粋):
基板を処理する反応室と、前記反応室内に原料ガスを供給するガス供給ノズルとを備える基板処理装置であって、前記ガス供給ノズルのガス噴出口の前方に前記原料ガスを活性化するガス活性化手段を取り付け、前記ガス活性化手段を前記ガス供給ノズルと一体化したことを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件):
C23C 16/452
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (3件):
C23C 16/452
, H01L 21/205
, H01L 21/302 N
Fターム (20件):
4K030EA03
, 4K030EA04
, 4K030EA06
, 4K030FA01
, 4K030FA14
, 4K030FA17
, 4K030JA02
, 4K030KA49
, 5F004AA15
, 5F004BD04
, 5F004CA01
, 5F004EA34
, 5F045BB02
, 5F045BB08
, 5F045CA15
, 5F045DP03
, 5F045EB02
, 5F045EB06
, 5F045EE07
, 5F045EF02
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