特許
J-GLOBAL ID:200903077779064180

回路基板の製造方法並びに回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-121906
公開番号(公開出願番号):特開2000-315706
出願日: 1999年04月28日
公開日(公表日): 2000年11月14日
要約:
【要約】【課題】 搭載する半導体チップの製造コストを低減できる回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 表面に回路パターン2が形成されたベース基板1上に第1の絶縁性樹脂層3を形成する工程と、第1の絶縁性樹脂層3上に第2の絶縁性樹脂層4を形成する工程と、第1及び第2の絶縁性樹脂層3、4に該第1及び第2の絶縁性樹脂層3、4を貫通する第1の開口部5を形成して、回路パターン2の一部を第1の開口部5の底部に露出する工程と、第1の開口部5内を充填すると共に、第2の絶縁性樹脂層4上に回路パターン2と電気的に接続する導体層7をめっきにより形成する工程と、導体層7上に、第1の開口部5に対応する部位に第2の開口部8を有するレジスト層9を形成する工程と、第2の開口部8の底面に露出する導体層7上にめっきによりはんだ層10を形成する工程と、レジスト層9を除去する工程と、導体層7をはんだ層10をマスクとしてエッチングにより除去する工程と、導体層7の除去により露出する第2の絶縁性樹脂層4を除去する工程とを含む。
請求項(抜粋):
表面に回路パターンが形成されたベース基板上に第1の絶縁性樹脂層を形成する工程と、前記第1の絶縁性樹脂層上に第2の絶縁性樹脂層を形成する工程と、前記第1及び第2の絶縁性樹脂層に該第1及び第2の絶縁性樹脂層を貫通する第1の開口部を形成して、前記回路パターンの一部を前記第1の開口部の底部に露出する工程と、前記第1の開口部内を充填すると共に、前記第2の絶縁性樹脂層上に前記回路パターンと電気的に接続する導体層をめっきにより形成する工程と、前記導体層上に、前記第1の開口部に対応する部位に第2の開口部を有するレジスト層を形成する工程と、前記第2の開口部の底面に露出する前記導体層上にめっきによりはんだ層を形成する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、前記導体層を前記はんだ層をマスクとしてエッチングにより除去する工程と、前記導体層の除去により露出する前記第2の絶縁性樹脂層を除去する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
IPC (5件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/40 ,  H01L 21/60
FI (7件):
H01L 21/60 311 S ,  H05K 1/11 C ,  H05K 3/40 C ,  H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 S
Fターム (21件):
5E317AA04 ,  5E317BB01 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB12 ,  5E317BB13 ,  5E317BB14 ,  5E317BB18 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CC51 ,  5E317CD11 ,  5E317CD18 ,  5E317CD25 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG16 ,  5E317GG20 ,  5F044KK07 ,  5F044KK17 ,  5F044KK19

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