特許

J-GLOBAL ID：200903077782978819

パターン形成方法およびパターン形成装置

発明者： 組橋 孝生 ,  伊澤 勝 ,  田地 新一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296373
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147270
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】アスペクト比の異なる複数の深孔パターンもしくは深溝パターンを同一工程で形成するに際し、加工速度のアスペクト比依存のないパターン形成を実現する。【構成】アスペクト比の異なる複数のパターンを同一工程で形成するに際し、?@ガス種(質量m)と、?A被処理物の種類(原子数密度n)と、?Bパターンの最大アスペクト比(A)と、?Cガスの圧力(P)との4つの条件で決まる最大アスペクト比のパターン底面における最大加工速度R'maxを下記の(6)式にしたがって求めて、この速度以下の加工速度でパターン形成を行う。R'max=P/√(2πmkT)/n/(3×A+1) ... (6)【効果】加工速度のアスペクト比依存がなくなるので、高アスペクト比パターン底面において加工速度が極端に遅くなったり、低アスペクトパターン底面の下地層が削れるという問題のない、高精度の高アスペクト比パターン形成ができる。

請求項（抜粋）：

反応ガスをプラズマ状態にして、被処理物に深孔パターンもしくは深溝パターンをドライエッチング工程で形成するパターン形成方法において、最大アスペクト比のパターン底面における最大加工速度を求めてそれ以下の加工速度でエッチングする工程を含み、加工速度のアスペクト比依存をなくしたドライエッチング工程で形成するようにして成るパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/76 L