特許

J-GLOBAL ID：200903077790387811

コンビナトリアル分子層エピタキシー装置

発明者： 鯉沼 秀臣 ,  川崎 雅司
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258967
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086388
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】 分子層ごとにエピタキシャル成長して無機系超構造、金属や有機系超構造を形成するとともに、短時間で効率的な物質探索をするためのコンビナトリアル分子層エピタキシー装置を提供する。【解決手段】 真空チャンバー2と、超高真空ポンプ4と、複数の基板5を保持し回転可能な基板ホルダー6と、基板ホルダー6を加熱するランプヒーター8と、基板ホルダー6に対向して設けられた回転可能なターゲットテーブル10,10と、複数の異なる固体原料のターゲット12と、これらのターゲット12を気化するエキシマレーザー光13,13と、レーザー光を真空チャンバー2内に導入する窓16,16と、薄膜成長基板上の分子層エピタキシャル成長をその場でモニターする反射高速電子線回折の電子銃18と、RHEEDのスクリーン17とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板を加熱する加熱手段と、複数の基板を保持し成長位置に搬送する基板ホルダーと、この基板ホルダーの成長位置にある基板に対して薄膜組成の原料を供給する多原料供給手段と、基板表面にガスを供給するガス供給手段と、基板表面での単分子層ごとのエピタキシャル成長をその場で観察するその場観察手段と、を圧力制御可能な高真空室内に備え、上記各基板ごとに成長温度、圧力及び供給原料を制御し、系統的に上記その場観察手段に基づいて分子層ごとのエピタキシャル成長をした物質群を合成するコンビナトリアル分子層エピタキシャル成長装置。

IPC (2件)：

C30B 23/08 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

C30B 23/08 M ,  H01L 21/203 M

Fターム (23件)：

4G077DA03 ,  4G077DA05 ,  4G077DA09 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077EG22 ,  4G077EH01 ,  4G077FK08 ,  4G077HA08 ,  4G077TB01 ,  4G077TC01 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK01 ,  5F103AA04 ,  5F103AA10 ,  5F103BB05 ,  5F103BB23 ,  5F103BB55 ,  5F103BB58 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103HH10 ,  5F103LL16