特許
J-GLOBAL ID：200903077790624970
ダミーパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151143
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326106
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 配線間容量の増大による配線間のクロストークの問題を解決しつつデバイスの絶対段差を揃え、デバイス表面の平坦度の向上を可能としたダミーパターンの形成方法を提供する。【構成】 多層Al配線構造を有するデバイスにおいて、ダミーパターンを定義すべき領域のデータをChip、i層Al配線の配線パターンの占める領域のデータをIMi、最終的に求めるべきi層のダミーパターンデータをIDiとし、データデクリメントによって得られるダミーパターン領域のデータを(Chip-IMi)D と定義し、このダミーパターン領域データ(Chip-IMi)D と(i+1)層の配線パターンデータIM(i+1)又はダミーパターンデータID(i+1)との論理積をとることによってダミーパターンデータIDiを生成し、このダミーパターンデータIDiに基づいてi層のダミーパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
n層(nは2以上の整数)の金属配線構造を有する半導体装置におけるダミーパターンの形成方法であって、第i層(iは整数で、1≦i<n)のダミーパターンを形成するに当り、第(i+1)層の配線パターンデータ又はダミーパターンデータを用いて第i層のダミーパターンデータを生成し、この第i層のダミーパターンデータに基づいてダミーパターンを形成することを特徴とするダミーパターンの形成方法。
FI (3件)：
H01L 21/88 S
, H01L 21/88 B
, H01L 21/88 K
