特許
J-GLOBAL ID：200903077792063541
半導体装置のシャロージャンクション形成方法および形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315935
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142421
出願日： 1993年11月22日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 プラズマイオン注入により形成するシャロージャンクションの特性を改善し、かつキャリア濃度の安定化を図った形成方法および形成装置を得る。【構成】 半導体基板11に不純物をイオン注入してPNジャンクションを形成するに際し、Si或いはGeをプラズマイオン注入し(16)て結晶性を非晶質あるいはそれに近い状態とし、かつ不純物としてのP型或いはN型イオンをプラズマイオン注入し(17)、その後に半導体基板を同一真空中で、または窒素やアルゴン等の不活性ガス中で、あるいは大気中へ取り出した後20時間以内に熱処理を行うことで不純物の酸化を防止し、これにより不純物の活性化を改善し、キャリア濃度を高め、かつボイドの発生がない改善された特性のシャロージャンクションの形成が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に不純物をイオン注入してPNジャンクションを形成するに際し、Si或いはGeをプラズマイオン注入する工程と、不純物としてのP型或いはN型イオンをプラズマイオン注入する工程と、前記半導体基板を同一真空中において、または窒素やアルゴン等の不活性ガス中において、あるいは大気中へ取り出した後20時間以内に大気中において熱処理を行う工程を含むことを特徴とするシャロージャンクション形成方法。
FI (4件)：
H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 P
, H01L 21/265 A
, H01L 21/265 Z
