特許

J-GLOBAL ID：200903077794892065

エツチング装置

発明者： 戸倉 常正
出願人/特許権者： 株式会社芝浦製作所
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272386
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109666
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、マグネトロン型のエッチング装置におけるプラズマの不均一性を改善することにより、板状の被処理基板のダメージをなくして半導体メモリ素子の特性を改善する点。【構成】 本発明のエッチング装置では、第2電極に対してほぼ垂直な磁場を作ることにより、電子がローレンツ力により第2電極に巻き付くので、ここに固定する板状の被処理基板に対して均一なプラズマが働くことになる。この結果、ダメージがなくなる効果があり、ひいてはゲート酸化膜が極めて薄い半導体メモリ素子の特性を改善することができる。

請求項（抜粋）：

減圧容器と,前記減圧容器に配置する被処理基板と,前記被処理基板に対向して配置する板状の第1及び第2電極と,前記被処理基板主面に対して垂直な磁界を印加するように、被処理基板に対応する減圧容器外に設置する磁気手段と,前記磁気手段から発生する磁力線とほぼ平行する電界を発生して前記電極付近に放電を起こす手段と,前記被処理基板と化学的に反応して蒸気圧の高い反応生成物を生成する流体を導入する手段と,前記減圧容器の圧力を調整する手段とを具備することを特徴とするエッチング装置

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-089517
  
• 特開平1-295422
  
• 特開昭62-051222