特許
J-GLOBAL ID：200903077796318420
非晶質太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347448
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204515
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 非晶質太陽電池のi層の膜質を改善して素子特性の改善を図ると共に、その製造方法を改善する。【構成】アモルファスシリコン合金材料を主たる原料とし、pin構造を有する非晶質太陽電池において、i層の膜厚方向にバンドギャップの異なる層が積層され、該各i層のバンドギャップが順次漸減し、再度漸増するように積層され、バンドギャップに応じて所定の作製条件になっていることを特徴とする非晶質太陽電池。
請求項（抜粋）：
アモルファスシリコン合金材料を主たる原料とし、pin構造を有する非晶質太陽電池において、i層の膜厚方向にバンドギャップの異なる層が積層され、該各i層のバンドギャップが順次漸減し、再度漸増するように積層されていることを特徴とする非晶質太陽電池。
引用特許：
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