特許

J-GLOBAL ID：200903077800018208

アモルファス酸化イリジウムのバリア層及び電極を有する強誘電体キャパシタ、集積半導体装置及び集積半導体装置の製造方法

発明者： グレン フォックス
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331393
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261251
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、強誘電体キャパシタを化学的及び機械的劣化から保護するため強誘電体キャパシタにアモルファス酸化イリジウム層を製作する方法を提供する。【解決手段】 アモルファス酸化イリジウム層は、強誘電体キャパシタの上部電極として作用するか、又は、結晶性酸化イリジウム若しくはその他の導電性材料からなる上部電極上に析出される。アモルファス酸化イリジウム層は、下にある強誘電体層を化学的及び機械的劣化から保護する。特に、アモルファス酸化イリジウム層は、強誘電体層内の強誘電体材料と反応して強誘電体キャパシタの性能を劣化させる水素に対するバリアとして作用する。

請求項（抜粋）：

アモルファス酸化イリジウムを含む保護層と、保護層の下側にある上部電極と、上部電極の下側にある強誘電体層と、強誘電体層の下側にある下部電極と、を有する強誘電体キャパシタ。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  C23C 14/08

FI (2件)：

C23C 14/08 H ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (17件)：

4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA56 ,  5F083NA08 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34