特許

J-GLOBAL ID：200903077804394530

高周波電磁界結合型薄膜積層電極、高周波伝送線路、高周波共振器、高周波フィルタ、高周波デバイス及び高周波電磁界結合型薄膜積層電極の膜厚設定方法

発明者： 石川 容平 ,  日高 青路 ,  伊勢 智之 ,  後藤 義彦
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310900
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167804
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 導体損失を大幅に低減した高周波電磁界結合型薄膜積層電極、並びに高周波伝送線路、高周波共振器、高周波フィルタ、高周波デバイス及び高周波電磁界結合型薄膜積層電極の膜厚設定方法を提供する。【構成】 誘電体を1対の導体によって挟設して構成された第1の伝送線路上に形成するための薄膜積層電極であって、薄膜積層電極は、薄膜導体と薄膜誘電体とが交互に積層され、薄膜誘電体を挟設する1対の薄膜導体によってそれぞれ構成される第2の伝送線路が積層されてなり、第1の伝送線路と第2の伝送線路を伝搬する各TEM波の位相速度を、互いに実質的に一致させるように各薄膜誘電体の膜厚と誘電率を設定し、かつ最上層の薄膜導体の膜厚を使用周波数の表皮深さより厚くし最上層以外の薄膜導体の膜厚を表皮深さよりも薄くして第1の伝送線路と第2の伝送線路の各電磁界が互いに結合するように設定される。

請求項（抜粋）：

誘電体を1対の導体によって挟設して構成された第1のTEMモード伝送線路上に形成するための薄膜積層電極であって、上記薄膜積層電極は、上記誘電体の一方の側に形成される導体を最下層の薄膜導体として形成されて含み、薄膜導体と薄膜誘電体とを交互に積層することによって、上記薄膜誘電体を挟設する1対の上記薄膜導体によってそれぞれ構成される少なくとも1つの第2のTEMモード伝送線路が積層されてなり、上記第1のTEMモード伝送線路を伝搬するTEM波の位相速度と、上記第2のTEMモード伝送線路を伝搬するTEM波の位相速度とを、互いに実質的に一致させるように上記各薄膜誘電体の膜厚と誘電率を設定し、かつ上記第2のTEMモード伝送線路の最上層の薄膜導体の膜厚を使用周波数の表皮深さより厚くするとともに上記最上層以外の薄膜導体の膜厚を使用周波数の表皮深さよりも薄くして上記第1のTEMモード伝送線路の電磁界と、上記第2のTEMモード伝送線路の電磁界が互いに結合するように設定されたことを特徴とする高周波電磁界結合型薄膜積層線路。

IPC (7件)：

H01P 3/18 ,  H01P 1/20 ,  H01P 1/203 ,  H01P 1/208 ,  H01P 3/08 ,  H01P 7/08 ,  H01P 7/10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭51-138881
  
• 特公昭28-003635
  
• 高周波電極及び高周波伝送線路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-122281   出願人：株式会社村田製作所