特許

J-GLOBAL ID：200903077804409295

透明導電性膜及び製造法

発明者： 大平 学
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007654
公開番号（公開出願番号）：特開平9-198925
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 プラスチック材料やガラス材料の表面に導電性、耐久性、光透過性等の諸性能に優れた導電性膜を形成する。【解決手段】 硫化銅及び珪素化合物を含有し、表面抵抗値が1×105 Ω/□以下、波長550nmの可視光に対する透過率が70%以上であり、膜厚が100Å以上の透明導電性膜及びその製造法。

請求項（抜粋）：

硫化銅及び珪素化合物を含有し、表面抵抗値が1×105 Ω/□以下、波長550nmの可視光に対する透過率が70%以上であり、膜厚が100Å以上の透明導電性膜。

IPC (6件)：

H01B 5/14 ,  C01G 3/12 ,  C03C 17/25 ,  C09K 3/16 101 ,  H01B 13/00 503 ,  C08J 7/06

FI (6件)：

H01B 5/14 A ,  C01G 3/12 ,  C03C 17/25 A ,  C09K 3/16 101 Z ,  H01B 13/00 503 C ,  C08J 7/06 B