位相シフトマスクの製造方法およびそれに用いるブランク

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066156
公開番号（公開出願番号）：特開平5-265184
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路の製造工程で実際に回路配置の複製用原画として投影露光装置に装填して使用される際に、隣接している開口部パターンを透過する投影露光光の位相を効果的にずらし、製造中の半導体集積回路上のレジスト面に、高解像度と高コントラストと兼ね備えた良質な微細パターンを形成できる位相シフトマスクを安定しかつ容易に製造できるようにすること。【構成】隣接する開口部分に入射する少なくとも部分的にコヒーレントな光に位相差を与え、半導体集積回路製造のフォトリソグラフィー法に使用する位相シフトマスクの製造方法において、特には酸化錫系の透明導電薄膜を、位相差を与えるための位相シフター層パターン4'を形成する際のエッチングストッパー層として用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

隣接する開口部分に入射する少なくとも部分的にコヒーレントな光に位相差を与えてフォトリソグラフィー法に使用する位相シフトマスクの製造方法において、透明導電薄膜がエッチングストッパー層として用いられることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027 , H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 311 W

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