特許
J-GLOBAL ID：200903077810064887
半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304026
公開番号（公開出願番号）：特開平10-130879
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年05月19日
要約：
【要約】【課題】 安全性の高い低シアン浴を用い、はんだ拡がり性に優れる銀めっき皮膜が形成された半導体装置用リードフレーム及びその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも半導体素子が接合される部分又はワイヤボンディングされるリードの先端部分に所定厚の銀めっきがなされた半導体装置用リードフレームにおいて、銀めっきが、(111)面の配向指数が1.2以下の結晶構造の銀層を持つか、あるいは(311)面の配向指数が0.4以上の結晶構造の銀層を持っている。
請求項（抜粋）：
少なくとも半導体素子が接合される部分又はワイヤボンディングされるリードの先端部分に所定厚の銀めっきがなされた半導体装置用リードフレームにおいて、前記銀めっきが、(111)面の配向指数が1.2以下の結晶構造の銀層を持つことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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