特許

J-GLOBAL ID：200903077812059597

マイクロ波プラズマ処理方法及び装置

発明者： 福田 琢也 ,  佐藤 淳二 ,  金井 史幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281680
公開番号（公開出願番号）：特開平6-128749
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月10日
要約：

【要約】【目的】 マイクロ波プラズマ処理装置真空容器内面のエッチングによる洗浄の効率向上。【構成】 真空容器5の基板ホルダ2の周囲に、該基板ホルダの周囲を覆う形状の電極13を配置し、プラズマ洗浄の際、プラズマ中のイオンが追随できる周波数の高周波を該電極13に印加しながら行なう。この際、高周波を印加する電極は基板ホルダ部に少なくとも一つは設置し、かつ、この電極表面形状は、該電極面の法線が真空容器内壁面の被洗浄部のほぼ全域にさえぎるものなしに到達する形状とする。印加電極を複数とし、それらに印加する電力等が独立に制御できるようにするとさらにいい結果が得られる。【効果】

請求項（抜粋）：

処理対象の基板が装着される基板ホルダを内装した真空容器と、該真空容器内に基板を処理する反応ガス及び該真空容器を洗浄する気体を導入する気体導入手段と、前記真空容器内の気体をプラズマ化する手段と、前記真空容器に高周波電界を印加する高周波印加機構とを含んでなるマイクロ波プラズマ処理装置において、前記高周波印加機構は真空容器の洗浄に少なくとも使用し、かつ、プラズマ化された前記気体のイオンが追随できる周波数の高周波電界を印加可能なものであることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-287774
  
• 特開昭63-221620
  
• 特開昭61-145825
  
• 特開昭63-244739