特許
J-GLOBAL ID：200903077815495754
温度補償及び単一磁区安定性を有する薄膜超高感度磁気抵抗性磁力計
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-120115
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053571
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 温度補償及び単一磁区安定性を有する薄膜超高感度磁気抵抗性磁力計を提供する。【構成】 薄膜磁力計は第1及び第2の薄膜磁気抵抗性要素並び第1及び第2の積層磁束コレクタを含む。第1の薄膜磁気抵抗要素は磁束コレクタによって形成されるギャップ内に位置され、第2の薄膜磁気抵抗要素は磁束コレクタによって実質的に磁気的に遮蔽されており、サーミスタとして機能する。これらの磁気抵抗要素はブリッジ回路に接続され、それにより磁気抵抗要素上の熱的効果による信号成分が第1の磁気抵抗要素によって生成された信号から除去される。
請求項（抜粋）：
a)第1及び第2の薄膜磁気抵抗性要素と;b)1)該磁力計の付近のギャップを横切る方向の磁界の成分が増大され該ギャップに沿った磁界の成分が減少されるよう該第1の磁気抵抗性要素上にギャップを画成し、2)該第2の磁気抵抗性要素を実質的に磁気的に遮蔽するように該磁気抵抗性要素上に配置された第1及び第2の薄膜積層磁束集中器と;c)該第1及び第2の磁気抵抗性要素に接続され該第1及び第2の要素において熱的に誘起された信号を相殺するブリッジ回路手段とよりなる磁気抵抗性磁力計。
IPC (2件)：
引用特許：
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