特許

J-GLOBAL ID：200903077824007487

多孔質状シリコンの形成方法およびその多孔質状シリコンを用いた光半導体装置

発明者： 成井 啓修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041957
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230983
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、多孔質状シリコンのフォトルミネッセンス強度の向上とその時間経過による減少の低減を図り、その多孔質状シリコンを用いることで光半導体装置の発光性能および光電変換性能の向上を図る。【構成】 電解質溶液12中に、シリコン基体21と電極31とを対向させて配置し、次いでシリコン基体21と電極31とに極性の異なる電流を交互に印加して、当該シリコン基体21の表面を酸化させて多孔質状シリコン層22を形成する。図示はしないが、発光ダイオードまたは太陽電池からなる光半導体装置は、上記多孔質状シリコン層と金属電極とのショットキー接合または多孔質状シリコン層内に形成したpn接合を有する。

請求項（抜粋）：

電解質溶液中に、シリコン基体と電極とを対向させて配置し、前記シリコン基体と当該電極とに極性の異なる電圧を交互に印加して、当該シリコン基体の表面を酸化させて多孔質状シリコン層を形成することを特徴とする多孔質状シリコンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3063 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/306 L ,  H01L 31/04 A