特許

J-GLOBAL ID：200903077833021611

太陽光発電装置

発明者： 堀越 佳治 ,  岩村 英俊 ,  川上 剛司 ,  小澤口 治樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041763
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237907
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】二連形太陽光発電装置において、化合物半導体層を薄膜化し、かつ良好なpn接合を形成する技術を提供する。【解決手段】表面近傍にp+n接合を有するシリコン(Si)結晶ウェハ上に、n+ーテルル化カドミウム(n+ーCdTe)4、n-テルル化カドミウム(n-CdTe)5、p-テルル化カドミウム(p-CdTe)6、p+-テルル化カドミウム(p+-CdTe)7の薄膜を順次堆積させた。

請求項（抜粋）：

半導体pn接合を用いた太陽光発電装置において、表面近傍にp+n接合を有するシリコン(Si)結晶ウェハ上に、n+-ルル化カドミウム(n+-CdTe)、n-テルル化カドミウム(n-CdTe)、p-テルル化カドミウム(p-CdTe)、p+-テルル化カドミウム(p+-CdTe)の薄膜を順次堆積させたことを特徴とする太陽光発電装置。