特許

J-GLOBAL ID：200903077841345914

単一電子素子及びその製作方法

発明者： 佐藤 俊彦 ,  嶋田 寿一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-015062
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226522
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】従来技術の有していた課題を解決して、動作温度が高く、室温でも動作する集積化単一電子素子を歩留まり良く提供する。【構成】予め金属配線100,110を施し、その後、原子間力顕微鏡(AFM)の探針の先端に個々の金微粒子125を着脱する方法を用いて、上記電極間に金微粒子を配置した。従って、これらの金微粒子は約1nmの間隔で十分近接して並べることができ、これによって、電子の金属微粒子間のトンネルが可能となる。基板250には導電性のシリコン、絶縁体薄膜としては100Å厚のシリコン酸化膜211を用いた。また、金微粒子を固定するために、電気伝導率の低いアモルファスシリコン膜220でこれらの金微粒子を埋め込んである。

請求項（抜粋）：

少なくとも20nm以下の粒径を有する微粒子を1個またはそれ以上用いて微小トンネル接合を形成したことを特徴とする単一電子素子。

IPC (5件)：

H01L 29/88 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12

FI (2件)：

H01L 29/88 Z ,  H01L 27/04 Z