特許
J-GLOBAL ID:200903077841908013

ドライエッチング耐性の向上したレジストパターンを形成する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鐘尾 宏紀 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-270546
公開番号(公開出願番号):特開2001-093816
出願日: 1999年09月24日
公開日(公表日): 2001年04月06日
要約:
【要約】【目的】高感度・高解像力を維持した上で、良好なレジストパターンを形成することができ、かつドライエッチング耐性の大幅な向上を可能にするパターン形成方法を提供する。【構成】ポジ型感光性樹脂組成物を用い、パターン露光後アルカリ現像することによりレジストパターンを形成する方法において、パターン露光前、露光時または露光後に、少なくとも本来未露光部であって現像後に感光性樹脂組成物が残存する部分を軽度に露光して、現像の際、当該部分の感光性樹脂組成物のアルカリ可溶性樹脂の低分子領域を積極的に溶出させ、これにより現像時当該部分に相対的に高分子量化した表面難溶化層を形成させることにより、ドライエッチング耐性の向上したレジストパターンを形成する。
請求項(抜粋):
ポジ型感光性樹脂組成物を用い、パターン露光後アルカリ現像することによりレジストパターンを形成する方法において、少なくとも本来未露光部であって現像後感光性樹脂組成物が残存する部分を軽度に露光し、然も当該部分が現像処理後に残存するように現像することを特徴とするドライエッチング耐性の向上したレジストパターンを形成する方法。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/3065
FI (4件):
G03F 7/38 511 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/302 H
Fターム (16件):
2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096BA09 ,  2H096EA12 ,  2H096GA60 ,  2H096HA23 ,  5F004AA04 ,  5F004BA04 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004EA26 ,  5F046AA11 ,  5F046BA04 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02

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