特許

J-GLOBAL ID：200903077845557088

バイアススパッタによる薄膜形成方法

発明者： 三好 歩 ,  水船 洋一郎
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-168052
公開番号（公開出願番号）：特開平7-018431
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月20日
要約：

【要約】【目的】 段差被覆性を向上すると共に、膜の内部応力を低くできるバイアススパッタによる薄膜形成方法を提供することを目的としている。【構成】 ターゲット3と基板電極4の両方に高周波電力を供給し、基板電極上の基板表面に薄膜を形成するバイアススパッタ法において、薄膜形成初期には、バイアス強度を強くし、基板表面の平坦性が得られる薄膜形成終期には、バイアス強度を弱く制御する。

請求項（抜粋）：

ターゲットと基板電極の両方に高周波電力を供給し、基板電極上の基板表面に薄膜を形成するバイアススパッタ法において、薄膜形成初期には、バイアス強度を強くし、基板表面の平坦性が得られる薄膜形成終期には、バイアス強度を弱く制御することを特徴とするバイアススパッタによる薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/40 ,  G11B 5/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公平2-055923
  
• 特開平2-185967
  
• 特開平2-247380