半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040325
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252298
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】複数の半導体素体の電極上の接触体と容器外面に露出する端子体の間にそれぞればね体を介在させて電流と熱の径路にする半導体装置の放熱性を改善し、小型化する。【構成】ばね体の表面の一部をフィン状に突出させて放熱部とし、容器内に充填されたゲル材を介して放熱する。あるいは、ばね体の接触体および端子体との接触面を拡大して接触抵抗を減らす。また、端子体の一部をばね体として形成して直接、接触体と接触させる。さらには、各二つの半導体素体を背中合わせにして一面の電極を共通の接触体に接触させ、他面の電極を容器に対向する面に露出する端子体にそれぞればね体を介して接続する。

請求項（抜粋）：

一つの容器内に複数個の半導体素体が収容され、各素体の一面の電極に、その熱膨脹係数が半導体材料の熱膨脹係数に近似した金属よりなる接触体が接触し、その接触体と容器外部に一面が露出する一つの端子体との間にそれぞれ存在する電気良導性のばね体により前記電極に対して加圧されるものにおいて、電気良導性のばね体の一部に表面の突出した放熱部を有することを特徴とする半導体装置。

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