特許

J-GLOBAL ID：200903077862376488

シリコン薄膜の製造方法、SOI基板の作製方法及び半導体装置

発明者： 山方 憲二
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288734
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168308
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 従来の犠牲酸化を行う際に生じた結晶欠陥部の増速酸化や、異物の影響などによる表面荒れ、表面荒れに伴う酸化膜耐圧の劣化などを回避しつつ、シリコン薄膜の品質を劣化させることなく、その膜厚を所望の値に減少させる。【解決手段】 SIMOX法や貼り合せ法により、酸素析出物の少ないシリコン薄膜を有するSOIウェハーを用意し、これをSC1やTMAHなどのアルカリ溶液で洗浄し、この洗浄液のエッチング作用により、シリコン超薄膜SOIを製造する。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面上に設けられたシリコン薄膜を製造するためのシリコン薄膜の製造方法において、前記絶縁性表面上に設けられたシリコン薄膜をウェット洗浄することにより、100nm以下の膜厚になるまで該シリコン薄膜の膜厚を減少させる工程を含むことを特徴とするシリコン薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/306 B ,  H01L 29/78 618 D