特許
J-GLOBAL ID：200903077870010212
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104420
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306701
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 ボンディングパッド下部に選択的に第2の絶縁膜を設けることにより絶縁は開を防止すると共にウェハのそりを防止する。【構成】 基板10表面ベース領域11とエミッタ領域12を形成してNPNトランジスタとし、第1のベース電極と第1のエミッタ電極を形成する。パッド予定部分に選択的に第2のシリコン窒化膜20を形成する。全面に第1のシリコン窒化膜16を形成し、その上に第2のベース電極と第2のエミッタ電極を形成する。第2のシリコン窒化膜20上にボンディングパッド19を形成する。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体層の表面に形成した逆導電型のベース領域と、前記ベース領域の表面に格子型または島状に形成され、多数の単位セルを形成する一導電型のエミッタ領域と、前記ベース領域の表面にコンタクトする第1層目のベース電極と、前記エミッタ領域の表面にコンタクトする第1層目のエミッタ領域と、前記第1層目のベース電極とエミッタ電極を被覆する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上を櫛歯状に延在し、前記層間絶縁膜に形成したスルーホールを通して前記第1層目のベース電極と接続する、第2層目のベース電極と、前記層間絶縁膜の上を櫛歯状に延在し、前記層間絶縁膜に形成したスルーホールを通して前記第1層目のエミッタ電極と接続する、第2層目のエミッタ電極と、前記第2層目のベース電極に連続し拡張された、その下の前記第1層目のエミッタ電極とは層間絶縁されるベースボンディングパッドと、前記第2層目のエミッタ電極に連続し拡張された、その下の前記第1層目のベース電極とは層間絶縁されるエミッタボンディングパッドと、前記ベース及びエミッタボンディングパッドの下部に部分的に形成した、ボンディングパッド下部の層間絶縁膜の膜厚を増大する第2の層間絶縁膜を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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