ウエハ研磨装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081391
公開番号（公開出願番号）：特開2000-271855
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ研磨面にデバイスパターン等による凹凸があっても、うねりのない平坦な面に仕上げる方法、装置を提供する。【解決手段】ウエハ保持定盤のウエハ取り付け面に、ウエハ研磨面の凹凸に対応する凹凸部を設け、研磨布を押し当てた研磨に際して研磨面の凸部の研磨圧力を高めて凸部の研磨量を多くし、結果として平坦な研磨面のウエハを得る。更なる研磨圧力の差異を設けるには、前記保持定盤の凹部とウエハとの間を減圧してその部分に対応するウエハをたわませることが好ましい。前記保持定盤に設ける凹凸を別部材に設けてそれを定盤とウエハの間に挿入しても、あるいは前記定盤上に設けられた多数の突出可能な移動ピンにより適宜必要な凸部を形成してもよい。

請求項（抜粋）：

回転駆動源を有するウエハ保持定盤に保持されて平面状に回転する半導体ウエハの表面と、回転駆動源を有する他の定盤に取り付けられて回転する研磨布との間に、所定の接触圧力を加えることによって生ずる相対摩擦運動により前記ウエハの表面を研磨するウエハ研磨装置において、前記ウエハ保持定盤のウエハ取り付け面に凹凸を設け、これによって前記ウエハ及び前記研磨布とによって形成されるウエハ研摩面上の研磨の実効圧力を局部選択的に変化させることを特徴とする研磨装置。

IPC (2件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 622

FI (2件)：

B24B 37/00 B , H01L 21/304 622 K

Fターム (10件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AA12 , 3C058AA14 , 3C058AB04 , 3C058BA05 , 3C058BB04 , 3C058BC02 , 3C058CB01 , 3C058DA17

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