特許
J-GLOBAL ID：200903077870788337
半導体装置の製造方法,半導体装置の製造装置,半導体レーザの製造方法,量子細線構造の製造方法,及び結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044869
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232099
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチングとMOCVD再成長を組み合わせたプロセスにおいて、特にAlGaAsのGaAs再成長層の結晶品質向上を図る。【構成】 AlGaAs上にGaAsキャップ層をあらかじめ形成しておき、ドライエッチングは上記GaAsキャップ層より行うものとし、さらにエッチングに先立って硫化アンモニウム溶液にてキャップGaAs表面のクリーニングを行う。
請求項（抜粋）：
Alを構成元素として含む化合物半導体に絶縁膜によるパターニングを施す工程と、ドライエッチングの手法を用いて微細構造を作製する工程と、上記微細構造を化合物半導体で埋め込む工程とを含む化合物半導体装置の製造方法において、上記Alを構成元素として含む化合物半導体上に連続してAlを含まない化合物半導体保護層を形成する第1の工程と、上記化合物半導体保護層上に絶縁膜による選択マスクを形成する第2の工程と、第2の工程を終えた半導体ウェハを硫化アンモニウム溶液に浸漬する第3の工程と、反応管内において塩素系ガスを用いてエッチングを施す第4の工程と、上記反応管内において上記第4の工程によって作成された微細構造をMOCVDの手法を用いて化合物半導体層で埋め込む第5の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, H01L 21/205
, H01L 29/06
, H01S 3/18
