不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-305144
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161848
出願日： 1993年12月06日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】この発明は、2層ゲ-トの極めて近傍にコンタクトホ-ルを形成する場合、電子が浮遊ゲ-トから喪失することを防止する。【構成】P型シリコン基板21の表面上に2層ゲ-トを設け、コントロ-ルゲ-ト電極25及び浮遊ゲ-ト23の側壁に第1のシリコン酸化膜29を設け、シリコン酸化膜29の側壁に第2のシリコン窒化膜36を設け、このシリコン窒化膜36の側壁に第2のシリコン酸化膜37を設け、このシリコン酸化膜37の側壁に第3のシリコン窒化膜30を設け、このシリコン窒化膜30及びP型シリコン基板21の上に層間絶縁膜31を設け、この層間絶縁膜31に、第3のシリコン窒化膜30をエッチングのストッパ-としてドレインコンタクトホ-ル31a を形成し、このコンタクトホ-ル31aの内にコンタクトプラグ32を設けている。従って、電子が浮遊ゲ-トから喪失することを防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表面上に設けられたゲ-ト酸化膜と、前記ゲ-ト酸化膜の上に設けられた浮遊ゲ-トと、前記浮遊ゲ-トの上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられたコントロ-ルゲ-トと、前記コントロ-ルゲ-ト及び前記浮遊ゲ-トの側壁に設けられた第1のシリコン酸化膜と、前記第1のシリコン酸化膜の側壁に設けられた第1のシリコン窒化膜と、前記第1のシリコン窒化膜の側壁に設けられた第2のシリコン酸化膜と、前記第2のシリコン酸化膜の側壁に設けられた第2のシリコン窒化膜と、前記第2のシリコン窒化膜及び前記半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に、前記第2のシリコン窒化膜をエッチングのストッパ-として自己整合的に形成されたコンタクトホ-ルと、を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 21/90 C

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