特許

J-GLOBAL ID：200903077872991377

半導体ウェハの研磨方法

発明者： 一 啓文 ,  指谷 利治
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198981
公開番号（公開出願番号）：特開平9-011112
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月14日
要約：

【要約】【目的】 両面研磨において、上定盤を持ち上げる際に、半導体ウェハを上定盤側の研磨クロスから分離させ、下定盤側に止まらせることができる半導体ウェハの研磨方法を提供する。【構成】 上定盤3と半導体ウェハ1の接触面積を、下定盤5と半導体ウェハ1の接触面積より小さく設定する。【効果】 上定盤3を持ち上げる際に、半導体ウェハ1を下定盤5側に止まらせ、上定盤3の研磨クロス2から確実に分離させる。

請求項（抜粋）：

上定盤側の研磨クロス及び下定盤側の研磨クロスの表面にそれぞれ格子状の溝を形成し、両面研磨装置により半導体ウェハの両面を同時に研磨する半導体ウェハの研磨方法において、上定盤側の研磨クロスと半導体ウェハとの接触面積を、下定盤側の研磨クロスと半導体ウェハとの接触面積より小さくしたことを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 29/00 ,  B24D 11/00 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

B24B 29/00 N ,  B24D 11/00 M ,  H01L 21/304 321 E