特許
J-GLOBAL ID：200903077877616922
Siウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-018176
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213440
出願日： 1995年02月06日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 酸素注入により埋め込み酸化膜を有するSiウェハにおいて、埋め込み酸化膜を規定する酸素注入量、および、そのウェハ面内分布を簡便・正確・非破壊で測定する。【構成】 酸素注入量、および、そのウェハ面内分布を求めるため、赤外吸収法を用い、酸素注入したSiウェハと注入しないSiウェハとの吸光度スペクトルの差を取り、差スペクトルの極大値・極小値の差を求め、予め標準試料について求めておいた換算係数を掛けて簡便・正確・非破壊に注入量を得る。これによって、注入条件と注入量との関係が明らかとなり、所望の注入量、および、その分布を持つよう注入条件を制御できる。
請求項（抜粋）：
酸素をイオン注入したSiウェハと注入しないSiウェハとについて赤外線領域での吸光度の入射光の波数に対するスペクトルを測定し、酸素をイオン注入したSiウェハに対する当該スペクトルから酸素をイオン注入しないSiウェハに対する当該スペクトルを差し引き、これによって得られた差スペクトルにおいて波数1030/cm〜1060/cmにある吸光度の極大値と波数900/cm近辺にある吸光度の極小値との差を求め、予め標準試料について求めておいた換算係数を掛けて酸素注入量を求めることを特徴とするSiウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/762
, H01L 27/12
