特許
J-GLOBAL ID：200903077883445617
無ラッチアップ型パワーMOS-バイポーラートランジスター
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-503147
公開番号（公開出願番号）：特表2002-514355
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 2002年05月14日
要約：
【要約】炭化ケイ素npnバイポーラートランジスター(バルク単結晶n型炭化ケイ素基板上に形成され、n型ドリフト層およびp型ベース層をもつ)を含むMOSバイポーラートランジスターが提供される。好ましくは、ベース層はエピタキシャル生長により形成され、メサとして形成される。npnバイポーラートランジスターに隣接して、炭化ケイ素nMOSFETが、このnMOSFETのゲートに印加された電圧によりnpnバイポーラートランジスターが導電状態に入るように形成される。nMOSFETは、バイポーラートランジスターが導電状態にあるときnpnバイポーラートランジスターにベース電流を与えるように形成されたソースおよびドレインをもつ。MOSFETのソースとドレインの間を流れる電子電流をnpnトランジスターのp型ベース層に注入するための正孔電流に変換する手段も含まれる。MOSFETの絶縁層に伴う電界クラウディングを少なくするための手段も備えられる。
請求項（抜粋）：
バルク単結晶n型炭化ケイ素基板上に形成され、n型ドリフト層およびp型ベース層を有する、炭化ケイ素npnバイポーラートランジスター; p型ベース層内にある炭化ケイ素nMOSFETであって、間隔をおいたn型ソース領域およびドレイン領域ならびにそれらの間のゲート領域を含み、かつバイポーラートランジスターが導電状態にあるときnpnバイポーラートランジスターにベース電流を供給するようにnpnバイポーラートランジスターに隣接したnMOSFET;ならびに ソースとドレインの間を流れる電子電流をnpnトランジスターのp型ベース層に注入するための正孔電流に変換する手段を含むMOSバイポーラートランジスター。
IPC (5件)：
H01L 29/78 652
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/73 653
, H01L 29/73 654
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 654 Z
, H01L 29/72
