特許
J-GLOBAL ID：200903077883504052
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072815
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274176
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】同一基板上に配置された複数種のLSIの良否を容易に判別できる半導体装置を提供する。【構成】トランジスタの組み合わせによる異る出力特性を有する出力回路を有し、この出力回路の電圧効果を測定してLSIの機能の違いを判別し、その判別結果を基に、LSIの試験を行う。トランジスタは特定の端子または空き端子に接続される。マスタスライスの場合、端子配列が異なるので同じ端子であってもトランジスタの特性が異なることを利用してLSIの機能の違いを判別することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、あらかじめ定められた位置または、同一の位置にある電極を有し、この電極に所定の電圧源と入力信号を与えて所定の機能動作する半導体チップの異なる機能を有する複数個が平面上に配置された半導体装置において、前記電極間に前記機能毎に対して異なる特性を有するトランジスタまたは接続の異る抵抗素子とを備え、前記トランジスタのドレイン-ソース間の電圧を測定し前記電圧値によりまたは前記抵抗素子の抵抗値により前記平面上に配置された半導体チップの前記半導体基板上の位置を認識することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/82
, G01R 31/28
, H01L 21/66
, H01L 27/118
H01L 21/82 T
, H01L 21/66 Z
, H01L 21/66 B
, G01R 31/28 X
, H01L 21/82 M
