特許
J-GLOBAL ID：200903077890011240
基板検査用給電制御素子及び基板検査における給電方法並びに基板検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三原 靖雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057949
公開番号（公開出願番号）：特開平8-226949
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【目的】給電側に配置した静電容量結合部(給電制御素子)にパルス変調レーザー光を照射して検査対象回路パターンに個別給電すべく給電方式を改善する。【構成】基板検査装置Yが、静電容量結合により検査対象回路パターン(5)上に電圧を印加するための給電制御手段1(X)と、パルス変調レーザー光照射手段2と、静電容量結合により検査対象回路パターン5上の電圧変化を検出するための信号検出手段3と、検出信号を波形処理するための波形処理手段4を具備し、給電制御素子(X)の透明電極に検査対象回路パターン5のピッチより十分小さいスポットのパルス変調レーザー光6を走査して検査対象回路パターン5に個別給電する。なお、基板検査用給電制御素子Xの素子構造は、ガラス基台、透明電極、絶縁ギャップを含む光導電膜ないしは抵抗膜、異方性導電体及び絶縁体の積層順を有するものとされる。
請求項（抜粋）：
基板に形成された回路パターンの短絡,断線等の不良箇所やパターンに接続された回路部品の実装不良を非接触検出するための基板検査装置の給電手段の改善において、パルス変調レーザー光を照射して検査対象回路パターン上に電圧を印加するために、検査対象回路パターンとの間に静電容量結合部を形成して個別給電するようにした基板検査用給電制御素子であって、素子構造が、パルス変調レーザー光照射側に対向するガラス基台(11)と回路パターン側に対向する絶縁体(16)との間に、透明電極(12)及び光導電膜(13)からなる積層部と透明電極(12)及び抵抗膜(14)からなる積層部とを並設するとともにそれぞれの端面を離間させて絶縁ギャップ(17)を設け、この絶縁ギャップ(17)の絶縁体(16)側に異方性導電体(15)を設けて絶縁ギャップ(17)の一端を塞ぎ、ガラス基台(11)、透明電極(12)、絶縁ギャップ(17)を含む光導電膜(13)ないしは抵抗膜(14)、異方性導電体(15)及び絶縁体(16)の積層順を有してなることを特徴とする基板検査用給電制御素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 31/02
, G01R 31/28 L
