研磨装置及び研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140658
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335277
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】、半導体装置の製造において、CMP(化学的機械研磨)工程の際に用いる研磨装置とこれを用いた半導体装置の研磨方法に関し、ウェハ面内における研磨量均一性を向上させる。【解決手段】キャリア2の内部に加圧用流路6及び真空チャック用流路7が設けられており、ウェハ1はバッキング材3を介してキャリア2に保持される。研磨する際に、加圧用流路6よりウェハ裏面中央部をN2加圧すると同時に、真空チャック用流路7よりウェハ裏面外周部を真空吸引する。【効果】加圧したくないウェハ裏面外周部を真空吸引することにより、制御性・再現性良く、ウェハ面内均一性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

ウェハ表面を研磨する際、ウェハ裏面の一部を吸引すると同時に、概ウェハ裏面の一部以外の部分を加圧する機構を具備することを特徴とする研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 , B24B 37/00 , B24B 37/04

FI (3件)：

H01L 21/304 321 H , B24B 37/00 B , B24B 37/04 E

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