特許

J-GLOBAL ID：200903077897843119

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 野口 健二 ,  大川 実
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-289016
公開番号（公開出願番号）：特開平6-139785
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 フラッシュメモリにおいて消去が完了したブロックに、余分な消去パルスが印加されないようにする。【構成】 センスアンプ11を通過した後のデータが消去回路21A毎に、次パルス制御回路24を設けたその回路に入力し、その単位毎に消去完または未完を判断し未完であれば次パルスを印加するが、完であれば次パルスが印加されないようにした。

請求項（抜粋）：

メモリアレイを複数に分割したブロックの消去を行う消去回路と、消去ベリファイ時に消去完了と判断したブロックに対応する前記消去回路には次の消去パルスを印加しない次パルス制御回路とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。