特許
J-GLOBAL ID：200903077902624528
a-Cによる反射防止
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048877
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342744
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 a-C膜の成膜または/およびエッチングを含むパターン形成技術に関し、反射防止膜としてa-C膜を用いてもホトリソグラフィの工程数増大を最小限に抑えることのできるホトリソグラフィ技術を提供することおよび反射防止膜として最適の物理定数を有するa-C膜を成膜する技術を提供することを目的とする。【構成】 基板上の被加工体上に非晶質カーボン膜を形成する工程と、前記非晶質カーボン膜の上にホトレジスト膜を形成する工程と、前記ホトレジスト膜を選択的に露光し、現像してホトレジストパターンを形成する工程と、前記ホトレジストパターンをエッチングマスクとして、前記非晶質カーボン膜と前記被加工体とを連続的にドライエッチングする工程とを含む。スパッタリングによるa-C膜の成膜において、基板温度等を調整することにより、所望の光学定数を得る。
請求項（抜粋）：
基板上の被加工体上に非晶質カーボン膜を形成する工程と、前記非晶質カーボン膜の上にホトレジスト膜を形成する工程と、前記ホトレジスト膜を選択的に露光し、現像してホトレジストパターンを形成する工程と、前記ホトレジストパターンをエッチングマスクとして、前記非晶質カーボン膜と前記被加工体とを連続的にドライエッチングする工程とを含むパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
