特許
J-GLOBAL ID：200903077904605121
電子装置に応用される小さな誘電率の材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120216
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162450
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 隣接する導電体の間の静電容量が大幅に小さい半導体デバイスを作成する処理工程を提供する。【構成】 前記処理工程は、導電体の間に溶液を与える段階と、次にゲル化する段階と、表面変性する段階と、極めて多孔質な誘電体層を作成するために前記溶液を乾燥する段階と、を有する。この多孔質層の上に、非多孔質誘電体層を作成することができる。これで層間誘電体が完成する。多孔質誘電体層を作成するための新規な処理工程は、真空または大気圧の下で実行することができ、なおかつ、臨界超過圧力の下でゲルを乾燥することによってのみ従来得ることができる誘電体に比べて、良好な多孔度と、良好な孔の寸法と、乾燥期間中の誘電体の良好な縮小とが得られる。
請求項（抜粋）：
(イ) 基板の上に作成された第1導電体と水平方向に隣接する第2導電体とを備える段階と、(ロ) 湿ったゲルを作成することができる溶液を備える段階と、(ハ) 前記第1導電体と前記第2導電体との間の隙間が前記溶液で事実上満たされるように前記基板を前記溶液で被覆する段階と、(ニ) 開放孔あき構造体に配列された孔を有する湿ったゲルを前記基板の上に作成するために、前記溶液をゲル化する段階と、(ホ) 誘電率が3.0以下でありかつ孔の直径が80nm以下であり、それにより同じレベルにある導電体の間の静電容量的結合が二酸化シリコンの固体誘電体の場合に比べて大幅に小さいく、かつ密度の大幅に小さい多孔質誘電体を作成するために、前記ゲルを乾燥する段階と、を有する、半導体デバイスの上に多孔質誘電体を作成する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C04B 38/00 304
, H01L 21/768
