特許

J-GLOBAL ID：200903077905707629

電子シャッタを備えたアクティブ・ピクセルセンサ

発明者： 蘇 晃 永 ,  李 建 重
出願人/特許権者： エルジー セミコン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 津国 肇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227900
公開番号（公開出願番号）：特開平11-164208
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 電子シャッタ機能を有し、自動露出機能も兼ねて行い得るアクティブ・ピクセルセンサ(APS)を提供すること。【解決手段】 外部光により光電荷を発生する光ダイオードD1と、該光電荷を放電するトランジスタM1と、光電荷を増幅するトランジスタM2と、ピクセルデータを出力するトランジスタM3とを備えたアクティブ・ピクセルセンサーAPSにおいて、ゲートにシャッタ制御信号が印加されてスイッチングされるトランジスタM4と、該トランジスタM4のドレイン及びトランジスタM2のゲートに連結され、トランジスタM4から入力する電荷を貯蔵し、該電荷をトランジスタM2に出力して一種のキャパシタの役割を行うトランジスタM5とを連結してピクセルセンサを構成する。

請求項（抜粋）：

一側が接地端子に連結され、外部光により光電荷を発生する光ダイオードD1と、該光ダイオードD1の他側にドレインが連結され、ソースには電源電圧Vddが印加され、ゲートには外部からリセット信号が印加され、該リセット信号により前記光ダイオードD1の内部電荷を放電する第1NMOSトランジスタM1と、ソースには電源電圧Vddが印加され、ゲートに入力する光電荷を増幅する第2NMOSトランジスタM2と、該第2NMOSトランジスタM2のドレインにソースが連結され、ゲートにはロー選択信号が印加され、該ロー選択信号により前記第2NMOSトランジスタM2から増幅された光電荷を外部に出力する第3NMOSトランジスタM3を備えたアクティブ・ピクセルセンサ(APS)において、前記光ダイオードD1の他方側と連結された第1NMOSトランジスタM1のドレインにソースが連結され、ゲートには外部のシャッタ制御部からシャッタ制御信号が印加され、該シャッタ制御信号によりスイッチングされて電子シャッタ機能を行う第4NMOSトランジスタM4と、該第4NMOSトランジスタM4のドレイン及び第2NMOSトランジスタM2のゲートにドレインが連結され、ソースは接地端子に連結され、ゲートには外部から電荷リセット信号が印加され、所定感光時間の間、前記光ダイオードD1から外部光により発生され、第4NMOSトランジスタM4を経て入力する電荷を蓄積して前記第2NMOSトランジスタM2のゲートに出力する第5NMOSトランジスタM5と、を備えて構成されたことを特徴とする電子シャッタを備えたアクティブ・ピクセルセンサ。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H04N 5/335 Q ,  H01L 27/14 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-270827   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 特開平4-373273