特許

J-GLOBAL ID：200903077908775862

半導体ウェハの膜形成装置

発明者： 伊野 忠雄 ,  大路 譲 ,  牛山 雅弘 ,  金子 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-075626
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283146
出願日： 1994年04月14日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】加熱処理中にウェハの面内温度分布を測定し、これをもとに加熱ランプのパワーを制御する。【構成】ステージ27上の、X軸モータ23とY軸モータ24で光ピックアップを移動させ、レーザビーム21を走査して、ウェハ12の裏面に作られたパターン位置を読み取る。また、移動距離を正確に測定するためレーザ変位計25を備える。この機構部で、得られた位置情報から、温度算出回路101でウェハ12の面内温度分布を算出して、ランプ制御回路102で制御し、加熱ランプ群14の電力をランプごとに制御する。【効果】ウェハ上に均一性の良い気相成長膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

ランプによる加熱手段と、反応ガスを導入する手段と、半導体ウェハに膜を形成する反応室とを有する半導体ウェハの膜形成装置において、裏面にマークを有する前記半導体ウェハと、前記半導体ウェハの裏面に光を照射する手段と、前記半導体ウェハの裏面マークを検出する手段と、前記ランプの加熱を制御する手段とを有することを特徴とする半導体ウェハの膜形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31