特許
J-GLOBAL ID：200903077909572280
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300575
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153965
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極をCrのテーパーエッチングで形成し、ステップカバレッジを改善する。【構成】第1に、エッチャントととして、硝酸セリウムアンモニウム、硝酸及び水の混合液で、硝酸の濃度を30wt%にしたものを用いる、第2に、プリベークの温度を70°以下にする、第3に、エッチャントの温度を室温以上にすることにより、レジスト膜の密着性を低くする。これにより、サイドエッチを多くしてテーパー角の小さい断面形状を有したゲート電極(11)が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたゲート電極、絶縁膜を挟んで前記ゲート電極上に形成された非単結晶半導体層、該非単結晶半導体層の両端に被覆するソース及びドレイン電極より構成される薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート電極は、Crを成膜する工程と、硝酸セリウムアンモニウム、硝酸及び水を主成分とする混合液をエッチャントに用いた前記Crのエッチング工程を有するフォトリソグラフィ工程により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 29/40
