特許

J-GLOBAL ID：200903077909630493

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 川北 惠三
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203309
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050956
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置において、高集積化を実現する。【解決手段】 メモリセルアレイ部に位置する酸化シリコン膜17を加工して、底部に、n型半導体領域8からなるソース/ドレイン領域に下端が導通するプラグ16の上端が露出した凹パターンを形成し、この凹パターンの内部を含む全面に、薄い窒化チタン膜19および厚い白金膜20を堆積した後、前記窒化チタン膜19、白金膜20をCMP法により平坦化し、酸化シリコン膜17が露出するまで窒化チタン膜19を除去することにより、凹パターンの内部に、プラグ16を介してソース/ドレイン領域に導通する下部容量蓄積電極20aを分離形成する。

請求項（抜粋）：

容量絶縁膜を挟む第1および第2の容量蓄積電極の少なくとも一方をダマシン法を用いて形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/88 K ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 29/78 371