強誘電体薄膜被覆基板及びその製造方法及び強誘電体薄膜被覆基板によって構成された不揮発性メモリ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川口義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017909
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306231
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【課題】強誘電体薄膜の表面が緻密で平坦であり、かつ大きな残留自発分極を示す強誘電体薄膜を低温プロセスで製造可能な強誘電体薄膜被覆基板及びぞの製造方法を提供する。【解決手段】基板(1)上に、バッファ層(5)と、強誘電体薄膜を成長させるための成長層(6)と、化学式Bi2 Am-1 Bm O3m+3(AはNa1+、K1+、Pb2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Bi3+から選択され、BはFe3+、Ti4+、Nb5+、Ta5+、W6+、Mo6+から選択されるものであり、mは1以上の自然数である)で示される層状結晶構造を有する強誘電体材料から成る強誘電体薄膜とが順次形成された構造で、強誘電体薄膜被覆基板を構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、バッファ層と、強誘電体薄膜を成長させるための成長層と、化学式Bi2 Am-1 Bm O3m+3(AはNa1+、K1+、Pb2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Bi3+から選択され、BはFe3+、Ti4+、Nb5+、Ta5+、W6+、Mo6+から選択されるものであり、mは1以上の自然数である)で示される層状結晶構造を有する強誘電体材料から成る強誘電体薄膜とが順次形成されたことを特徴とする強誘電体薄膜被覆基板。

IPC (10件)：

H01B 3/00 , C01G 29/00 , G11C 11/22 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/316

FI (7件)：

H01B 3/00 F , C01G 29/00 , G11C 11/22 , H01L 27/10 451 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

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