特許

J-GLOBAL ID：200903077916658905

単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法

発明者： 大谷 昇 ,  尾上 浩三 ,  勝野 正和 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-223986
公開番号（公開出願番号）：特開平10-067600
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 6H型あるいは4H型の単一結晶多形の炭化珪素単結晶インゴット及びウエハを歩留り良く作製する。【解決手段】 炭化珪素単結晶インゴットの成長初期に結晶多形を決定するためのバッファー結晶を成長した後に、本体となる所望の不純物濃度の結晶を成長して炭化珪素単結晶インゴットを作製する。6H型の結晶を作製する場合には、バッファー層として1 ×1017〜8 ×1017atoms/cm3 の窒素原子を添加した結晶の成長を行い、4H型の結晶を作製する場合には、バッファー層として3 ×1018〜6×1020atoms/cm3 の窒素原子を添加し結晶多形を決定し、しかる後に所望不純物濃度の結晶の成長を行う。

請求項（抜粋）：

昇華法による種結晶を用いた炭化珪素単結晶インゴットにおいて、種結晶基板と、該基板上に形成された窒素添加量が1 ×1017〜8 ×1017atoms/cm3 の結晶多形が6H型のバッファー層と、該バッファー層上に形成された、結晶多形が6H型で窒素添加量が、バッファー層の1.5 倍以上でかつ6 ×1020atoms/cm3 以下の成長層を有することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  C30B 33/00

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  C30B 33/00