特許

J-GLOBAL ID：200903077917751291

半導体装置及びその製造方法

発明者： 蜂須賀 敦司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-257359
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084774
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅型レジストを用いて写真製版を行う半導体装置の製造方法において、0.4μm 以下のパターンの形成を可能とする。【構成】 ボロンもしくはリン又はその両方の不純物を含んだBPSG膜等の絶縁物層2と、化学増幅型レジスト4との間にボロンやリンを含まないシリコン酸化膜等の膜3を入れる。【効果】 化学増幅型レジストを用いた写真製版により0.4μm 以下のパターンを形成できる。

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストを用いて写真製版を行ってなる半導体装置であって、半導体基板と、上記半導体基板上に堆積された、ボロン又はリン又はその両方の不純物を含んだ絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成された、上記ボロン又はリン又はその両方の不純物を含まないシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはこれらの積層膜と、上記絶縁膜、および上記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはこれらの積層膜は、この上に載置される化学増幅型レジストを用いて写真製版されてなるものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-028225
  
• 特開平2-290012
  
• 特開平3-141632