特許
J-GLOBAL ID：200903077919195680
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-315338
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162282
出願日： 1995年12月04日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 従来の多層配線技術においては、配線間の導通を層間絶縁膜に形成されたスルーホールによって行なっていたため、エッチング処理や後処理が十分になされないとスルーホールの形状異常が生じたりあるいはスルーホール内に反応生成物が残留したりして、配線間の導通不足が生じるという問題点があった。【解決手段】 半導体基板もしくは下層の配線と上層の配線間に当初は絶縁性を有し光あるいは熱の照射、イオン打ち込み等により非可逆的に導電性に変化する物質からなる絶縁層を形成し、該絶縁層の導通が必要な箇所に光あるいは熱等を当てて局所的に導電性に変化させることにより、配線間の絶縁層にスルーホールもしくはコンタクトホールを形成することなく配線間もしくは配線と半導体基板との間の導通をとれるようにしたものである。
請求項（抜粋）：
下層の配線と上層の配線間に当初は絶縁性を有し光あるいは熱の照射、イオン打ち込み等により非可逆的に導電性に変化する物質からなる絶縁層が形成され、該絶縁層には局所的に導電体に変化された導通部が形成され、該導通部により上記下層と上層の配線間が電気的に導通可能な状態にされてなることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/90 B
, H01L 21/90 J
