特許
J-GLOBAL ID：200903077919499255
酸化物系誘電体薄膜用CVD原料およびメモリー用キャパシタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184904
公開番号（公開出願番号）：特開平6-158328
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】 多元のものを一液状にして同時に気化させ、かつ安定に反応部へ輸送することができ、これに伴って良好な性能を有するキャパシタ用誘電体薄膜を再現性良く合成することを可能とする。【構成】 有機金属化合物をテトラヒドロフラン中に溶解させることにより、従来よりも30〜100°C低い温度の加熱で、分解することなく原料を安定に気化し、輸送することができる。その結果、CVD法により安定した誘電体薄膜が形成され、この誘電体薄膜をメモリー用キャパシタに用いる。
請求項（抜粋）：
テトラヒドロフランに有機金属化合物が溶解されてなる酸化物系誘電体薄膜用CVD原料。
IPC (5件)：
C23C 16/40
, C01G 23/00
, C30B 29/32
, H01L 27/04
, H01L 27/108
