特許

J-GLOBAL ID：200903077925305489

無電解めっき方法、並びに、配線装置およびその製造方法

発明者： 杉浦 修 ,  西川 恵一郎
出願人/特許権者： 財団法人 理工学振興会
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-161666
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335952
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 無電解めっき法による銅の選択的堆積ができる、配線装置の製造方法を提供する。【解決手段】 配線装置5は以下ものもを含んである。基板1、基板1表面に付着する触媒核2、触媒核2が付着した基板1上に形成された配線4、および、触媒核2が付着した基板1上のうち、配線4が形成された領域以外の領域に形成された絶縁膜3である。配線4は銅からなる。触媒核2は白金とパラジウムとの合金からなる。触媒核2の量は、隣接する触媒核2の粒子間距離が触媒核2の粒径よりも大きくなる範囲とする。配線装置5の製造方法は、つぎのとおりである。スパッタ法により、基板1に触媒核2を付着させる。基板1上に絶縁膜3を形成する。フォトリソグラフィ法により絶縁膜3にパターニングを施し、絶縁膜3の一部を除去して溝を形成し触媒核2を露出させる。無電解めっきにより、触媒核2が露出した溝に金属膜4を形成する。

請求項（抜粋）：

以下の工程を含む無電解めっき方法。(イ)スパッタ法により、被加工物に触媒核を付着させる第1の工程。(ロ)無電解めっきにより、上記触媒核が付着された上記被加工物に金属膜を形成する第2の工程。

IPC (5件)：

C23C 18/18 ,  C23C 14/34 ,  C23C 18/31 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

C23C 18/18 ,  C23C 14/34 N ,  C23C 18/31 A ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 B

Fターム (48件)：

4K022AA01 ,  4K022AA13 ,  4K022AA15 ,  4K022AA41 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA21 ,  4K022BA31 ,  4K022BA32 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA21 ,  4K029AA11 ,  4K029BA01 ,  4K029BA05 ,  4K029BA13 ,  4K029BC00 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029GA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033MM01 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033WW01